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閃存市場競逐5G機(jī)遇 存儲容量驅(qū)動(dòng)技術(shù)迭代

2018-09-29 11:15:00來源:21世紀(jì)經(jīng)濟(jì)報(bào)道 編輯:馬路鋒 已被 729 人閱讀      0人評論

內(nèi)容摘要:文章摘要:

    5G時(shí)代的漸行漸近晕翠。


  對消費(fèi)群體而言,5G帶來的是高帶寬低延遲的使用效果持痰;對于企業(yè)端尤其是閃存大廠來說铐懊,則是新的機(jī)遇屎勘。


  在近日舉行的“中國閃存市場峰會(huì)(CFMS2018)”上,中國閃存市場總經(jīng)理邰煒表示居扒,2018年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模將達(dá)1500億美元概漱,其中NAND Flash(閃存存儲器)將超過570億美元,而中國消耗了全球產(chǎn)能的32%喜喂,意味著中國已是全球存儲產(chǎn)業(yè)中最為重要的市場瓤摧。目前半導(dǎo)體存儲芯片廠商主要集中在美國竿裂、日本、韓國照弥,中國也在快速發(fā)展腻异。


  隨著5G、自動(dòng)駕駛这揣、AI等場景發(fā)展對存儲的需求大幅增加悔常,閃存大廠都在存儲密度、堆疊技術(shù)等方面進(jìn)行迭代给赞,同時(shí)机打,NAND flash價(jià)格的大幅下滑也令技術(shù)更新訴求更為迫切。


  集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心陳玠瑋向21世紀(jì)經(jīng)濟(jì)報(bào)道記者表示片迅,NAND Flash市場自2018年起残邀,已走向供應(yīng)過剩局面,直到5G時(shí)代的到來將會(huì)有所改善柑蛇。對于最新的96層QLC技術(shù)芥挣,他認(rèn)為到2020年上半年可實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。


  有業(yè)內(nèi)人士指出耻台,雖然NAND市場整體規(guī)模持續(xù)增加空免,但對主控的需求成長有限;同時(shí)主控的研發(fā)力度持續(xù)不減盆耽,隨著技術(shù)深入迭代鼓蜒,其投入回報(bào)比也面臨壓力越來越大的難題。


  技術(shù)迭代遇上降價(jià)


  今年以來征字,NAND flash價(jià)格結(jié)束了過去兩年的上升態(tài)勢并轉(zhuǎn)跌,這一方面與關(guān)鍵閃存大廠此前的產(chǎn)能投入有關(guān)娇豫,也與技術(shù)更新?lián)Q代息息相關(guān)匙姜。


  據(jù)中國閃存市場統(tǒng)計(jì),2018年NAND flash綜合價(jià)格指數(shù)跌幅超過40%冯痢,同時(shí)年內(nèi)主要原廠產(chǎn)出的3D NAND已成為主流氮昧。從3D NAND占NAND flash整體產(chǎn)能比來看,最高者美光已達(dá)90%浦楣。


  邰煒指出袖肥,2018年新一輪投產(chǎn)即將開始,為了填補(bǔ)2016振劳、2017年提升技術(shù)導(dǎo)致的產(chǎn)能空缺椎组,并加大3D投產(chǎn),三星除了有全球最大的Fab18工廠以外历恐、還有西安工程二期寸癌,包括東芝和西部數(shù)據(jù)合資的Fab6专筷、Fab7等來看,市場供應(yīng)將會(huì)進(jìn)一步增加蒸苇。“后續(xù)隨著技術(shù)提升和產(chǎn)能增加磷蛹,價(jià)格還會(huì)進(jìn)一步下滑。”


  技術(shù)的迭代則顯示出溪烤,1TB時(shí)代很快將到來味咳,最可見的表現(xiàn)便是在手機(jī)端應(yīng)用。據(jù)統(tǒng)計(jì)檬嘀,今年上半年槽驶,NAND原廠的技術(shù)主要以量產(chǎn)64層TLC(三比特單元)為主,下半年部分原廠已經(jīng)轉(zhuǎn)為96層TLC或者64層QLC(四比特單元)枪眉。“目前來看捺檬,大規(guī)模量產(chǎn)將集中在2019年上半年,量產(chǎn)容量基本是256GB或512GB贸铜,也有部分原廠采用64層QLC量產(chǎn)1TB技術(shù)比如美光堡纬,長江存儲也計(jì)劃明年量產(chǎn)64層TLC。”邰煒表示蒿秦。


  據(jù)介紹烤镐,目前NAND 2D極限容量已從128GB上升到64層512GB,96層會(huì)以512GB過渡棍鳖,技術(shù)成熟以后量產(chǎn)到1TB技術(shù)炮叶。隨著QLC的量產(chǎn),即使采用64層QLC也可以量產(chǎn)1T容量渡处,這也意味著镜悉,TB時(shí)代的漸行漸近。


  西部數(shù)據(jù)Device部門產(chǎn)品營銷與管理高級副總裁Christopher Bergey則向媒體表示医瘫,96層意味著更大容量和更低成本侣肄。但是3D技術(shù)之美在96層之后,還是可調(diào)的醇份,所以未來可以看到兩個(gè)趨勢——更快速度的晶圓或者更大容量的存儲技術(shù)稼锅。


  “其實(shí)在DRAM和NAND flash之間還有很大的價(jià)格和性能的調(diào)試空間,很多供應(yīng)商都想找到一個(gè)既能滿足性能又能滿足存儲要求的產(chǎn)品僚纷。對于未來市場會(huì)怎樣矩距,哪種產(chǎn)品最終能夠贏得市場還有待實(shí)踐。”他補(bǔ)充道怖竭。


  技術(shù)不斷迭代的市場可以帶來更廣闊的應(yīng)用空間锥债,但同時(shí)也面臨投資回報(bào)成本走高的難題。在前述峰會(huì)上,多名業(yè)內(nèi)人士有此感慨赞弥。


  美光集團(tuán)副總裁Dinesh Bahal就指出毅整,到2021年,NAND flash市場bit(比特绽左,信息量單位)需求總量將比2017年復(fù)合年均增長率達(dá)40%-45%悼嫉,同時(shí)在企業(yè)級云端SSD(固態(tài)硬盤)、手機(jī)端和客戶級SSD方面拼窥,單個(gè)市場需求都將高于2017年的整體市場表現(xiàn)戏蔑。


  但他展示了一組數(shù)據(jù),2006-2009年間鲁纠,NAND flash的bit供應(yīng)增速可達(dá)130%-140%总棵;而到了2011-2015年間,增速已常態(tài)化維持在40%-45%區(qū)間改含。這就帶來挑戰(zhàn)情龄,2006-2015年的產(chǎn)業(yè)投入均處在相似水平,隨著年份增長捍壤,要實(shí)現(xiàn)同樣的bit供應(yīng)增速骤视,投入的資金將越來越大,到2018年已需要250億美元鹃觉,而2015年之前維持在平均100億美元水平专酗。


  群聯(lián)電子董事長潘健成也提到,NAND Flash市場很大盗扇,但主控芯片的需求卻成長有限祷肯,“比如1G用的是一個(gè)主控,100G也是一個(gè)主控疗隶,1000G還是一個(gè)主控佑笋。所以主控市場有沒有那么大?這是一個(gè)需要探討的問題斑鼻。”在價(jià)格下降的周期內(nèi)蒋纬,主控廠商還要維持研發(fā)投入,尤其在驗(yàn)證的成本耗用方面尤其明顯卵沉,投資回報(bào)率的考驗(yàn)壓力越來越重。


  為此法牲,潘健成指出史汗,群聯(lián)的做法是,所有環(huán)節(jié)內(nèi)部統(tǒng)一完成拒垃,并走定制化路線停撞,作為上市公司,群聯(lián)每年都會(huì)維持一定的現(xiàn)金流額度。


  5G時(shí)代的大存儲訴求


  在5G為代表的大存儲訴求之下戈毒,閃存廠商也在通過新技術(shù)的演進(jìn)占據(jù)應(yīng)用市場賽道艰猬。


  三星大中華區(qū)首席技術(shù)官裵容徹分析道,存儲在5G時(shí)代要求會(huì)更高埋市,包括數(shù)據(jù)中心冠桃、交通設(shè)施以及移動(dòng)端連接等方面,這導(dǎo)致數(shù)據(jù)流量上升道宅,也需要更多的存儲解決方案食听。


  目前NAND的應(yīng)用仍以SSD和嵌入式產(chǎn)品為主。據(jù)統(tǒng)計(jì)污茵,以eMMC(嵌入式多媒體存儲卡)樱报、UFS(通用閃存存儲)為主的嵌入式產(chǎn)品,在2018年消耗全球總產(chǎn)能的43%泞当,到2021年迹蛤,NAND flash市場在SSD應(yīng)用領(lǐng)域的訴求年復(fù)合增長率將達(dá)45%。2018年襟士,嵌入式產(chǎn)品和SSD產(chǎn)品合計(jì)消耗超過85%的全球總產(chǎn)能盗飒。


  “過去30年電腦的架構(gòu)其實(shí)差不多,因?yàn)槭且訡PU為中心敌蜂÷崾蓿可今天的存儲計(jì)算已經(jīng)改變,因?yàn)閿?shù)據(jù)中心的建立章喉,其架構(gòu)是以存儲為中心不再是CPU汗贫。這考驗(yàn)的是如何讓比如手機(jī)端更快接觸到云端,而沒有時(shí)間差別秸脱,這就需要新的架構(gòu)落包。也代表未來將以存儲為主,我們在產(chǎn)業(yè)中耕耘也很興奮摊唇。”慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章這樣向21世紀(jì)經(jīng)濟(jì)報(bào)道記者解釋咐蝇。


  在當(dāng)下火熱的物聯(lián)網(wǎng)方面,Christopher Bergey表示巷查,“我們認(rèn)為未來自動(dòng)駕駛會(huì)有更多SSD的需求有序,其實(shí)當(dāng)我們討論一個(gè)IoT產(chǎn)品會(huì)不會(huì)用到SSD的時(shí)候,更多考慮的是運(yùn)算能力岛请。在數(shù)據(jù)存儲這部分有更大容量需求的時(shí)候旭寿,SSD的應(yīng)用場景會(huì)比較顯著。”


  其他應(yīng)用場景方面崇败,西部數(shù)據(jù)嵌入集成方案產(chǎn)品市場總監(jiān)張丹向記者表示盅称,閃存的應(yīng)用訴求將主要在于有互動(dòng)的場景中肩祥,包括互聯(lián)家庭、工業(yè)領(lǐng)域缩膝,當(dāng)前安防領(lǐng)域已經(jīng)爆發(fā)混狠。“互聯(lián)家庭場景應(yīng)用也談了好多年,今年重回人們的關(guān)注范疇疾层,是因?yàn)榍岸酥餍酒\(yùn)算能力已經(jīng)足夠可以支撐更多功能将饺。一個(gè)典型場景是智能音箱,包括很多基于傳感方式的IoT設(shè)備云芦。”


  在閃存應(yīng)用廣泛的手機(jī)市場俯逾,雖然當(dāng)前面臨成長瓶頸,但這并不影響閃存廠商的發(fā)展舅逸。


  Christopher Bergey向記者分析道桌肴,雖然手機(jī)在數(shù)量上增加程度非常小,可是手機(jī)本身的內(nèi)存量一直在增加琉历。我們在市場上的產(chǎn)品線坠七,剛好還是在成長的階段。一些手機(jī)廠商也在用內(nèi)存的增多來多賺取利潤旗笔。


  “同時(shí)彪置,手機(jī)端的照相、攝影蝇恶、游戲等功能拳魁,導(dǎo)致對存儲容量要求越來越大,部分手機(jī)已推出512GB內(nèi)存就是一個(gè)證明撮弧。我們的機(jī)會(huì)并不在于手機(jī)本身的數(shù)量潘懊,而是手機(jī)的支持輔助功能越多,會(huì)讓儲存的市場繼續(xù)增長贿衍。”他如是說授舟。


  從技術(shù)迭代方面,Christopher Bergey還指出贸辈,在手機(jī)產(chǎn)品的使用場景中释树,eMMC和UFS已經(jīng)應(yīng)用在高端旗艦機(jī)中,UFS的使用率更高擎淤。“我們也看到一個(gè)趨勢奢啥,在最大量的中端手機(jī)產(chǎn)品中,有向使用UFS技術(shù)轉(zhuǎn)變的趨勢嘴拢,所以預(yù)計(jì)在明年下半年桩盲,UFS就會(huì)漸漸變成一個(gè)市場的主流。實(shí)際上炊汤,不單在手機(jī)正驻,應(yīng)用場景比如汽車、安防領(lǐng)域也會(huì)有抢腐,只不過在這些相對比較傳統(tǒng)的領(lǐng)域姑曙,主芯片的演進(jìn)并沒有像在手機(jī)里推動(dòng)那么快。”


  裵容徹則預(yù)計(jì)迈倍,UFS存儲技術(shù)從2019年開始伤靠,會(huì)占據(jù)市場份額的20%以上。在NAND存儲密度上啼染,到2030年可能達(dá)到185GB需求宴合。 

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