在NAND閃存市場上，三星谋右、東芝匪煌、西數(shù)伶氢、美光她渴、SK Hynix及英特爾這六家公司占據(jù)了絕大多數(shù)份額堕仔，不過NAND閃存也是中國近年來發(fā)力追趕的重要領(lǐng)域呼渣，尤其是紫光旗下的長江存儲，他們在武漢投資240億美元建設(shè)中國最大的存儲芯片基地寞埠，今年底量產(chǎn)32層堆棧的64Gb核心閃存屁置。
面對中國廠商在NAND市場上的威脅，這些公司是怎么看的呢?西數(shù)公司日前表態(tài)稱NAND領(lǐng)域技術(shù)很難仁连，他們在這方面依然有優(yōu)勢蓝角，中國的NAND廠商在2020年之前不會帶來什么有意義的改變阱穗。
西數(shù)已經(jīng)量產(chǎn)了96層堆棧的3D NAND閃存
西數(shù)公司CFO Mark Long上周也出席了花旗銀行2018全球技術(shù)大會，并回答了分析師提問使鹅，其中就涉及到了西數(shù)如何看待中國廠商進入NAND領(lǐng)域的問題揪阶。對于這個問題，Mark Long表示他們非常關(guān)注所有的競爭對手患朱，但有一點很清楚鲁僚，NAND對技術(shù)的要求比人們想象中的更難，新進入市場的廠商需要很長時間才能獲得這種能力裁厅，他們需要通過回報及工藝進展來證明這項投資的正確冰沙。
當中國廠商有能力進入這個市場時，Mark Long認為他們依然是落后的执虹，即便中國廠商有能力提供不斷增長的NAND芯片拓挥，西數(shù)在技術(shù)上依然會保持優(yōu)勢，同時會通過這個技術(shù)優(yōu)勢生產(chǎn)商有優(yōu)勢的產(chǎn)品袋励。
Mark Long提到上述這些都是西數(shù)關(guān)注的領(lǐng)域侥啤，而中國廠商在2020年之前不太可能的對市場產(chǎn)生什么有意義的變化。
根據(jù)長江存儲公司的規(guī)劃茬故，今年底他們將量產(chǎn)32層堆棧的3D NAND閃存盖灸，核心容量64GB，明年將量產(chǎn)64層堆棧的128Gb核心的3D NAND閃存均牢，同時還會研發(fā)128層堆棧的3D NAND閃存糠雨。但在技術(shù)方面，西數(shù)徘跪、東芝甘邀、美光等公司今年底就要量產(chǎn)96層堆棧的3D NAND閃存了，核心容量提升到了1Tb到1.33Tb垮庐，長江存儲的3D NAND閃存在技術(shù)上確實要落后兩三年時間松邪。
