Intell發(fā)布的首款消費(fèi)級QLC固態(tài)硬盤——660p序宦，采用全新的主控制器及64層堆疊的QLC NAND顆粒，不過前第一代64層QLC閃存的良率只有48%......
本月初Intel發(fā)布了首款消費(fèi)級QLC固態(tài)硬盤——660p，采用全新的主控制器及64層堆疊的QLC NAND顆粒舌稀，不過近日有消息稱，目前第一代64層QLC閃存的良率只有48%耘子∫耗希
Intel“SSD 660p”的定位將介乎在600p及700p之間，采用全新的主控制器及64層堆疊的QLC NAND顆粒枚赡，提供512 GB氓癌，1 TB，2 TB容量可供選擇贫橙。SSD 660p專用PCI Express 3.0 x4而設(shè)計(jì)贪婉，采用M.2 2280規(guī)格，讀取傳輸速度高達(dá)1800 MB / s料皇，寫入的傳輸速度為1100 MB / s谓松，4k隨機(jī)讀取和寫入為150,000 IOPS。
660P搭載了慧榮SMI2263主控践剂，帶有DRAM緩存鬼譬，主控是慧榮SMI2262EN的工藝改良版，并且由Intel自主編寫固件逊脯。采用來自Intel和美光合資的IMFlash工廠的4bit QLC閃存优质。
Intel 660P采用M.2 NVMe接口，支持PCIe 3.0 x4通道军洼，Intel官方給出的數(shù)據(jù)顯示巩螃，性能上達(dá)到主流M.2 NVMe的水準(zhǔn)，最高連續(xù)讀寫速度可達(dá)1800MB/s匕争。
同時(shí)避乏，價(jià)格相當(dāng)給力，512GB賣99.99美元(約合683元)甘桑。
與TLC相比拍皮，QLC NAND Flash的儲(chǔ)存容量將可增加33%，單顆晶片最高可達(dá)到256GB或512GB跑杭，P / E循環(huán)約為1000次左右略低于TLC铆帽，在壽命，速度及穩(wěn)定性方面QLC雖然比TLC更低德谅，但就勝在容量更大及擁有更便宜的成本爹橱。
不過有消息稱，目前第一代64層QLC閃存的良率只有48%窄做，也就是生產(chǎn)出來的成片過半報(bào)廢愧驱。對比之下慰技，64層TLC閃存的良率已經(jīng)達(dá)到了90%以上。
這意味著冯键，4bit QLC看似容量密度提高了惹盼，但實(shí)際成本是高于3bit TLC的。
更糟糕的是惫确，消息人士稱手报，Intel第一代QLC閃存糟糕的良率將伴隨整個(gè)生命期。
此外英特爾還準(zhǔn)備了SSD 760p系列改化，M.2 2280規(guī)格掩蛤，64層TLC NAND閃存，提供128GB陈肛，256GB揍鸟，512GB，1TB句旱，2TB容量阳藻，性能更高一個(gè)檔次，持續(xù)讀寫可達(dá)3.2GB / s谈撒， 1.6GB / s腥泥，隨機(jī)讀寫可達(dá)35萬IOPS，28萬IOPS啃匿，并支持AES-256硬件加密蛔外，5年產(chǎn)品保固。其中128GB至1TB今年12月份發(fā)布溯乒。
英特爾和美光除了推出64層QLC提高技術(shù)優(yōu)勢夹厌，還曾表示第三代3D NAND技術(shù)（96層）的開發(fā)將于2018年年底或2019年初交付。
