根據(jù)市場研究公司IC Insights的調(diào)查報告辐益，2018年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出(capex)總額將達(dá)到1,020億美元丘薛，其中，內(nèi)存芯片的資本支出預(yù)計將占整體產(chǎn)業(yè)的53%，幾乎是五年前內(nèi)存所占比重的兩倍。
根據(jù)IC Insights的最新版McClean Report，隨著所有的NAND閃存(flash)供應(yīng)商提高3D NAND的產(chǎn)能惩猫，預(yù)計與NAND相關(guān)的資本支出總額將超過310億美元，占半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)總額的31%蚜点。不過轧房，相較于2017年NAND Flash資本支出成長暴增91%，今年NAND資本支出總額增幅減緩至13%绍绘。
同時奶镶，該報告預(yù)測，DRAM和SRAM的資本支出增幅將比其他任何產(chǎn)業(yè)更高陪拘，繼2017年大幅成長82%后厂镇，今年將再成長41%。根據(jù)該報告左刽，DRAM/SRAM的資本支出預(yù)計將達(dá)到229億美元捺信，占整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的22%。
IC Insights預(yù)計欠痴，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)總計將達(dá)到1,020億美元——包括現(xiàn)有晶圓廠產(chǎn)線和全新制造設(shè)施的升級残黑，象征著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)第一次為資本支出注入突破1,000億美元大關(guān)。該公司稱斋否，今年的總資本支出將比2017年增加9%梨水，并較2016年的資本支出增加了38%。
IC Insights警告道茵臭，經(jīng)過兩年的資本支出大幅增加后疫诽，業(yè)界過度看好NAND flash市場需求的風(fēng)險相當(dāng)高且不斷成長。IC Insights指出旦委，三星(Samsung)奇徒、海力士(SK Hynix)、美光(Micron)缨硝、英特爾(Intel)摩钙、東芝(Toshiba)/Western Digital/ SanDisk和XMC /長江存儲科技(YMTC)都計劃在未來幾年內(nèi)大幅提升3D NAND flash產(chǎn)能，此外查辩，還有其他新的中國內(nèi)存新創(chuàng)公司可能進(jìn)入市場胖笛。
IC Insights在新聞發(fā)布中指出：“內(nèi)存市場的歷史先例顯示，過多的支出通常會導(dǎo)致產(chǎn)能過剩以及緊隨而來的價格疲軟宜岛。”
